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J-GLOBAL ID：200903007933063011
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994136958
Publication number (International publication number)：1996008427
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】ノーマリ・オフ型で製造工程の簡便な埋め込みゲート型半導体装置を実現する。【構成】ドレイン領域2の主面から一定の深さにストライプ状の埋め込みゲート領域4を有し、該主面にソース領域3を有し、ソース領域3を挟むように該主面から掘られたストライプ状の溝を有し、該溝のストライプの間隔はゲート領域4の間隔より狭く、該溝の底部は一部がゲート領域4と交差する配置で接し、該溝の内部には絶縁膜5でゲート領域4、ドレイン領域2と絶縁され、ソース領域3と同電位にされた固定絶縁電極6を有し、固定絶縁電極6は絶縁膜5を介して接するドレイン領域2に空乏層を形成する導電性材料でなり、ソース領域3に接するドレイン領域2の一部であって固定絶縁電極6に挟まれ、ゲート領域4がソース領域3と同電位では空乏層のポテンシャル障壁によってソース領域3とドレイン領域2とを電気的に遮断するチャネル領域8を有する構造。
Claim (excerpt)：
ドレイン領域である第一導電型の半導体基体の一主面から一定の深さの領域に、ストライプ状もしくは網目状をなして埋め込まれた反対導電型のゲート領域を有し、前記主面には同一導電型のソース領域を1個または複数個有し、前記主面から前記半導体基体方向へ掘り込まれ、前記ソース領域を挟み込むようにストライプ状に構成された溝を有し、前記溝のなすストライプの間隔は、前記ゲート領域のなすストライプもしくは網目の間隔より狭くなっており、前記溝の底部は、少なくとも一部が前記ゲート領域と交差するような配置で接しており、前記溝の内部には、絶縁膜によって前記ゲート領域ならびに前記ドレイン領域と絶縁され、かつ、前記ソース領域と同電位に保たれた固定絶縁電極を有し、前記固定絶縁電極は、前記絶縁膜を介して隣接するドレイン領域に空乏層を形成するような性質を有する導電性材料からなり、前記ソース領域に隣接する前記ドレイン領域の一部であって、前記固定絶縁電極に挟まれ、前記ゲート領域の電位が前記ソース領域の電位と同電位に保たれている状態では、前記空乏層の形成するポテンシャル障壁によって、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを電気的に遮断状態とするチャネル領域を有する、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 321 V
, H01L 29/74 M
