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J-GLOBAL ID：200903007944482059

超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜

Inventor： 高野 義彦 ,  長尾 雅則 ,  立木 実 ,  川原田 洋 ,  梅沢 仁 ,  小林 健作
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005148794
Publication number (International publication number)：2006009147
Application date： May. 20, 2005
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】実際の電気、電子デバイスへの適用のための超電導性を示すダイヤモンド薄膜を提供する。【解決手段】化学気相成長法により形成された超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜。このホウ素ドープダイヤモンド薄膜は、磁化-磁場曲線より典型的な第二種超電導体の性質を示した。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

化学気相成長法により形成された超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜。

IPC (3)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/06 ,  H01B 12/06

FI (3)：

C23C16/27 ,  C01B31/06 A ,  H01B12/06

F-Term (27)：

4G146AA04 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC17B ,  4G146AC20B ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA14 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA26 ,  4K030BA27 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030LA03 ,  5G321AA98 ,  5G321CA02 ,  5G321CA24 ,  5G321DD99