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J-GLOBAL ID：200903007944894209
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991351646
Publication number (International publication number)：1993167101
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 発光効率を上げて光を有効に利用することができる半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体発光素子は、発光層2の光を取り出す側の表面上に光散乱層10を形成する。この層は、発光層2の上に形成された電流拡散層3に設けられ、電流拡散層とは格子定数が異なる材料を用いる。そして、その電流拡散層3の上に光散乱層10を成長させて表面を粗面化する。
Claim (excerpt)：
活性層を含む発光層と、この発光層の上に形成され、光取出し面を有する光散乱層と、前記発光層もしくは前記光散乱層の上に形成された光取出し側電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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