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J-GLOBAL ID：200903007950224304

薄膜形成方法

Inventor： 能澤 克弥 ,  齋藤 徹 ,  神澤 好彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000120758
Publication number (International publication number)：2001308015
Application date： Apr. 21, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 枚葉式薄膜プロセスにおいて、基板の個体差が大きい場合でも容易に高精度で膜厚を制御する方法が従来提供されていない。【解決手段】 枚葉式薄膜プロセス装置において、薄膜プロセスを所定の厚みまで行う際、処理が所定の厚みにまで達する前に処理を一時中断し、そこまでの処理により行われた膜厚を測定した後、測定した膜厚をもとに,残りの薄膜プロセスの条件を決定し処理を行う。

Claim (excerpt)：

枚葉式薄膜プロセス装置において、薄膜プロセスを所定の厚みまで行う際、処理が所定の厚みにまで達する前に処理を一時中断し、そこまでの処理により行われた膜厚を測定した後、測定した膜厚をもとに,残りの薄膜プロセスの条件を決定し処理を行うことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

F-Term (33)：

4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030BA09 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA14 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB03 ,  5F045CA02 ,  5F045DA52 ,  5F045DB02 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ17 ,  5F045GB09 ,  5F045GB13 ,  5F045HA24 ,  5F045HA25