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J-GLOBAL ID：200903007951164852

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 新居 英明 ,  森本 豊太
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994057972
Publication number (International publication number)：1995273321
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【構成】シリサイド層を少なくとも高濃度拡散層上に備えた半導体において、シリサイド層と第1層配線下の層間絶縁膜との反応を防止するに十分な保護膜がシリサイド直上に形成されたことを特徴とする半導体装置。【効果】本発明によれば、シリサイドの表面部にシリサイド材料金属の酸化物のないシート抵抗が低い良質のシリサイド膜が、自己整合的に再現性良く形成され、歩留まりが向上する。

Claim (excerpt)：

シリサイド層を少なくとも高濃度拡散層上に備えた半導体において、シリサイド層と第1層配線下の層間絶縁膜との反応を防止するに十分な保護膜がシリサイド直上に形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/90 D