Pat

J-GLOBAL ID：200903007951850950

多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド

Inventor： 中谷 亮一 ,  星屋 裕之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995319982
Publication number (International publication number)：1997161243
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】多層膜構造の高磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗効果膜およびそれを用いた磁気記録装置を提供する。【解決手段】結晶系制御層12として、面心立方構造を有し、電気抵抗率の高い材料を用いることにより、結晶系制御層12への電流の分流を少なくし、磁気抵抗変化率を増加させる。

Claim (excerpt)：

結晶性制御層,結晶系制御層,Mnを含む反強磁性層、NiおよびFeを含む磁性層,非磁性層,NiおよびFeを含む磁性層の順に形成されている多層膜において、上記結晶系制御層が面心立方格子を有し、上記結晶系制御層の電気抵抗率がNiおよびFeを含む磁性層よりも高く、上記非磁性層を挟む磁性層の磁化のなす相対角度により多層膜の電気抵抗率が変化することを特徴とする多層磁気抵抗効果膜。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z