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J-GLOBAL ID：200903007964717087

表面被覆層の形成方法及び疎水性多孔質シリカ膜の多層構造

Inventor： 山田 和弘 ,  玉川 孝一 ,  関 伸彰 ,  藤井 宣年
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (2)： 北村 欣一 ,  吉岡 正志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002293291
Publication number (International publication number)：2004128375
Application date： Oct. 07, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】疎水化処理を施した多孔質シリカ膜が備える疎水性機能を損なうことなくこの膜表面に表面被覆層を確実に形成する方法、及び、このような表面被覆層付きの疎水性多孔質シリカ膜から成る多層構造を提供する。【解決手段】原料ガスと触媒体とを接触分解反応させて行う触媒CVD法により、疎水性多孔質シリカ膜上に表面被覆層を形成する。このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を400°C以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、SiNx膜、SiOx膜、SiOC膜、SiNC膜及びSiC膜のいずれかとすることが望ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

疎水性多孔質シリカ膜上に表面被覆層を形成する方法において、原料ガスと触媒体とを接触分解反応させて行う触媒CVD法により、前記表面被覆層を得ることを特徴とする表面被覆層の形成方法。

IPC (4)：

H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

FI (4)：

H01L21/316 X ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 A ,  H01L21/318 B

F-Term (23)：

4K030AA06 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA11 ,  4K030FA17 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ02