マグネシア単結晶の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小堀益
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991345510
Publication number (International publication number)：1993170430
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】高純度でサイズの大きいマグネシア単結晶を工業的に製造する方法の提供。【構成】カサ比重が3.00g/cm3 以上で、粒子径が10mm以下で、マグネシア純度が99.8%以上の原料マグネシア粒子を理論密度の60%以上に固め、その中に炭素電極を埋没して徐々に溶融すると、マグネシア融体のまわりに環球状のスカルが形成され、溶融状態にあるマグネシアを長く維持して蒸発時間が長くなっても、蒸発量以上に溶融が進むため、大型のマグネシア単結晶が育成する。

Claim (excerpt)：

マグネシア純度が99.8%以上に高純度化された原料マグネシアに電極を埋没する電融マグネシア単結晶の製造方法において、カサ比重が3.00g/cm3 以上で、粒子径が10mm以下の原料マグネシアを理論密度の60%以上に固め、マグネシア融体のまわりに緻密な焼結層を形成するマグネシア単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C01F 5/02 , C30B 1/02 , C30B 29/16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特公昭39-025545
特開平2-263794
特開平3-215315

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