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J-GLOBAL ID：200903007994036882
電子装置のための低誘電率材料である多孔質誘電体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995140792
Publication number (International publication number)：1996059362
Application date： Jun. 07, 1995
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の上に静電容量的結合の小さい構造体とその製造法を提供する。【構成】 前記製造法は、多孔質誘電体部分層を作成するために、導電体の間および上に、1種類または多数種類の溶液を与える段階とそれをゲル化する段階と、前記湿ったゲルを乾燥する段階とを有する。前記溶液の組成と、前記ゲル化の条件と、前記乾燥の温度と、前記湿ったゲルの中の溶媒の組成と、またはこれらの方式の組み合わせとを変えることにより、前記部分層の多孔度を個別に設計することができる。多孔質層の上に、非多孔質誘電体層を作成することができる。これで、層間誘電体が完成する。この新規な処理工程は、真空または雰囲気圧力の下で実行することができが、臨界超過圧力の下でゲルを乾燥することによってのみ従来達成することができる多孔質誘電体層に匹敵する多孔度と、孔寸法と、乾燥期間中の誘電体の収縮とが得られる。
Claim (excerpt)：
(イ) パターンに作成された層を基板の上に備える段階と、(ロ) 湿ったゲルを作成することが可能な溶液を備える段階と、(ハ) 前記溶液で前記基板を被覆する段階と、(ニ) 孔あき構造体に構成された孔を有する湿ったゲルを前記基板の上に作成するために、前記溶液をゲル化する段階と、(ホ) 前記湿ったゲルを制御された方式で乾燥する段階であって、前記乾燥段階により多孔度が垂直方向に分離された少なくとも2つの領域を有する多孔質誘電体層が作成され、かつ前記領域の対が少なくとも20%だけ多孔度が異なる共通の遷移領域を共有し、かつ前記多孔質誘電体が80nm以下の平均孔直径を有し、それにより極めて多孔質である部分層を前記多孔質誘電体層の中に組み込むことが容易に実行できる、前記乾燥段階と、を有する、半導体装置の上に多孔質誘電体を作成する方法。
IPC (2)：
C04B 38/00 304
, H01L 21/768
