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J-GLOBAL ID：200903007994152270

微細構造形成方法

Inventor： 室谷 義治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995347715
Publication number (International publication number)：1997167758
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】電子ビーム露光法を用いた半導体基板上の微細構造形成において、電子線の近接効果の影響を減少させ微小周期を有する回折格子構造を作製する方法の提供。【解決手段】(100)InP基板上へ塗布したレジストに電子ビーム露光を用いて、非連続微細パターンを作製し、このパターンを現像しベーキングを行なった後にBr系の異方性エッチャントを用いてエッチングを行い、〈011 ̄〉方向では(111)面を有するV字形状のパターンが形成され、一方、〈011〉方向では逆V字形状のパターンが形成されるエッチングが行われ、さらにエッチングが進行すると非連続パターンが直線パターンとなる形状が得られ、図1(A)に示すパターンをエッチングすることにより図1(B)に示す周期を有する回折格子構造が作製される。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板上に電子ビームレジストを塗布する工程と、(b)前記電子ビームレジストの所定の方向に一次元の非連続微細構造を有するパターン又は一次元の微小周期を有するパターンを電子ビーム露光により形成する工程と、(c)前記パターン形成された電子ビームレジストをマスクとして異方性エッチングを行い前記半導体基板上の所定方向に連続な直線パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする微細構造形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/302

FI (2)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 Z