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J-GLOBAL ID：200903007997449819

半導体レーザ

Inventor： 田辺 哲弘 ,  丸田 秀昭
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999249551
Publication number (International publication number)：2001077475
Application date： Sep. 03, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板として、p形化合物半導体基板を用いながら、電流注入領域を正確に画定し、しかも発光する光を吸収しないで、入力電流に対する光出力を大きくすることができる半導体レーザを提供する。【解決手段】 p形化合物半導体基板1上に活性層7が活性層7よりバンドギャップの大きい材料からなるp形およびn形のクラッド層4、6、8によりサンドイッチされるダブルへテロ構造を有する発光層形成部12を有しており、活性層7よりバンドギャップが大きく、かつ、p形クラッド層4、6よりバンドギャップが小さい材料からなるp形半導体層2が半導体基板1の上方に設けられている。そして、p形半導体層2上に、p形半導体層2のバンドギャップとp形第1クラッド層4のバンドギャップとの間のバンドギャップを有する材料からなるストライプ状のコンタクト層3が設けられている。

Claim (excerpt)：

p形化合物半導体基板と、該半導体基板上に設けられ、活性層が該活性層よりバンドギャップの大きい材料からなるp形およびn形のクラッド層によりサンドイッチされるダブルへテロ構造の発光層形成部とを有する半導体レーザであって、前記活性層よりバンドギャップが大きく、かつ、前記p形クラッド層よりバンドギャップが小さい材料からなるp形半導体層が前記半導体基板の上方に設けられ、該p形半導体層上に該p形半導体層のバンドギャップと前記p形クラッド層のバンドギャップの間のバンドギャップを有する材料からなるストライプ状のコンタクト層が設けられ、該ストライプ状のコンタクト層上に前記発光層形成部のp形クラッド層が設けられてなる半導体レーザ。

F-Term (9)：

5F073AA03 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29