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J-GLOBAL ID：200903008011590736

半導体記憶装置

Inventor： 干場 一博
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289831
Publication number (International publication number)：1993129625
Application date： Nov. 06, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】不揮発性メモリー素子のコントロールゲート/フローティングゲート間層間絶縁膜に高誘電率の物質ないしは強誘電体/シリコン酸化膜を採用して、高い容量値で信頼性も高いセルを形成する。

Claim (excerpt)：

MOSトランジスタのチャンネル領域とコントロールゲート電極の間に、フローティングゲート領域を設けた不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロール電極とフローティングゲート領域の間に高誘電率の薄膜とシリコン酸化膜の積層を介在させてなる半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D