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J-GLOBAL ID：200903008026305396

SOI基板

Inventor： 島ノ江 宗治 ,  佐藤 弘 ,  松下 孟史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991308324
Publication number (International publication number)：1993121383
Application date： Oct. 29, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 貼り合わせシリコン基板の改善研磨の終点を作業者の目視によって容易に検出する。【構成】 シリコン基板の研磨等による薄膜化の際に、十分に薄膜化された時点で露出する疎水性のポリシリコン膜等による研磨検出膜2を形成する。研磨検出膜2の露出は、表面2aが疎水性のために水がはじかれた状態になることから容易に作業者が目視で認識でき、SOI基板として、均一に仕上げ研磨された単結晶のシリコン薄膜6が貼り合わせにかかるシリコン基板1上にシリコン酸化膜4を介して形成されることになる。

Claim (excerpt)：

一対のシリコン基板を貼り合わせて構成されるSOI基板において、一方のシリコン基板の薄膜化の際に露出する疎水性の研磨検出膜が基板上に形成されてなることを特徴とするSOI基板。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/76