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J-GLOBAL ID：200903008047923448
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992336499
Publication number (International publication number)：1994188412
Application date： Dec. 17, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 静電気による素子破壊を起こさず信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】 本発明の半導体装置では、第一導電型半導体領域1と半導体領域1に設けられた第二導電型ソース3及び第二導電型ドレイン5とゲート制御電極11とを有し、入出力領域以外のトランジスタにはソース・ドレイン間の半導体領域にソースに隣接するように第二導電型低濃度拡散層をまたドレインに隣接するように第二導電型低濃度拡散層をそれぞれ設けている。また、入出力領域のトランジスタTr2にはソース3に隣接するように第二導電型低濃度拡散層17を設けている。従って、特に静電破壊の可能性の高い入出力領域のトランジスタTr2の静電耐圧を高いレベルに設定できる。また、入出力領域のトランジスタTr2の電流能力を上げて消費電力を抑えることができる。
Claim (excerpt)：
第一導電型半導体領域と該半導体領域に設けられた第二導電型ソース及び第二導電型ドレインとゲート制御電極とを有する複数の電界型トランジスタを備えた半導体装置であって、入出力領域以外のトランジスタには少なくとも前記ドレインに隣接するように前記半導体領域内に第二導電型低濃度拡散層を設け、入出力領域のトランジスタには前記ドレインに隣接するように前記半導体領域内に第二導電型低濃度拡散層を設けないこと、を特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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