Pat
J-GLOBAL ID：200903008051090264
半導体素子接続方法および半導体素子接続装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993275728
Publication number (International publication number)：1995130795
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】高位置精度が得られる半導体素子の基板上への実装方法の提供。【構成】半導体素子10を異方導電性接着シートを介して仮固定した被接続基板11を可変温度ステージ1上に配置し、ステージ1を昇温し被接続基板11を加熱し異方導電性接着シート硬化温度以上に到達した時点で被接続基板11と概略等しい温度の加圧装置2にて前記半導体素子10を加圧し、かつ一定時間加圧を継続する。【効果】異方導電性接着シートを用いた熱圧着工法でありながら、被接続基板と加圧装置の温度差を解消させ、原理的に生じる熱圧着時の位置ズレを根本的に無くしたものであり、高精度の接続が要求される高表示画素密度のカラー液晶パネル等の製造を可能にするものである。
Claim (excerpt)：
被接続基板上に異方導電性接着シートを介して半導体素子を配置する工程と、温度を変えることの出来る可変温度ステージ上に前記被接続基板を配置した後、その可変温度ステージを昇温し前記被接続基板を加熱する工程と、前記被接続基板の温度が前記異方導電性接着シートの硬化開始温度以上の一定値に到達した後、前記被接続基板温度と実質上等しい温度の加圧装置にて、前記被接続基板及び/又は半導体素子を所定の時間加圧、加熱する工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子接続方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
