Pat

J-GLOBAL ID：200903008053554128

半導体装置の製造方法

Inventor： 山森 義之
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999320371
Publication number (International publication number)：2001144119
Application date： Nov. 10, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエハーと線膨張係数の近い低熱膨張ポリイミドを封止樹脂として、加工が容易で信頼性の高いCSPを、生産性良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 パッシベーション膜および半導体素子の金属電極が形成された、ウエハー状の半導体素子表面に、封止材層として、イミド化後の線膨張係数が30ppm/°C以下である半硬化状態のポリアミック酸フィルムを加熱・圧着した後、熱処理を施してイミド化を完結させる方法により、10〜300μmの膜厚でポリイミド樹脂層を形成する工程、レーザー光により穴加工を施す工程、メッキにより電極用メタルポストおよび金属バンプを形成させる工程、並びに、該金属バンプを形成したウエハーを裏面研磨およびダイシングする工程とからなる。

Claim (excerpt)：

パッシベーション膜および半導体素子の金属電極が形成された、ウエハー状の半導体素子表面に、封止材層として10〜300μmの膜厚で、線膨張係数が30ppm/°C以下であるポリイミド樹脂層を形成する工程、レーザー光により穴加工を施す工程、メッキにより電極用メタルポストおよび金属バンプを形成させる工程、並びに、該金属バンプを形成したウエハーを裏面研磨およびダイシングする工程、とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/78 A ,  H01L 23/30 R

F-Term (9)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109EA08 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13