Pat
J-GLOBAL ID:200903008066111667
太陽電池
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
石田 敬
, 鶴田 準一
, 土屋 繁
, 西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002229011
Publication number (International publication number):2004071828
Application date: Aug. 06, 2002
Publication date: Mar. 04, 2004
Summary:
【課題】切断面(側面)での再結合損失を低減することで光電変換効率の向上を図った太陽電池を提供する。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板の裏面に形成されたn+型拡散層及12及びp+型拡散層14と、それらに接続された負電極22及び正電極24と、を備えた裏面電極型太陽電池において、半導体基板において発生したキャリアがn+型拡散層12又はp+型拡散層14によって収集されるまでのキャリア移動距離が、電池の素子中央部に比較して素子端部において短く設定される。その設定は、n+型拡散層12の間隔及びp+型拡散層14の間隔を素子中央部に比較して素子端部において小さくすることにより、又はn+型拡散層12の面積及びp+型拡散層14の面積を素子中央部に比較して素子端部において大きくすることにより達成される。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
半導体基板と、
前記半導体基板の裏面に形成され、前記半導体基板のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有するn+型拡散層及びp+型拡散層と、
前記n+型拡散層及び前記p+型拡散層にそれぞれ接続された負電極及び正電極と、
を備えた裏面電極型の太陽電池において、
前記半導体基板において発生したキャリアが前記n+型拡散層又は前記p+型拡散層によって収集されるまでのキャリア移動距離が、電池の素子中央部に比較して素子端部において短く設定されていることを特徴とする太陽電池。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (10):
5F051AA02
, 5F051CB20
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051EA11
, 5F051EA18
, 5F051FA06
, 5F051GA04
, 5F051HA03
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