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J-GLOBAL ID:200903008076450184

集積回路表面保護方法および構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外6名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1996515258
Publication number (International publication number):1997511622
Application date: Nov. 07, 1994
Publication date: Nov. 18, 1997
Summary:
【要約】能動素子と金属配線回路(11-17および20-22)の完成後に、集積回路上に第一の障壁絶縁層(24)と、第一の絶縁層上に流動性絶縁材層(25)を付加して下部の形状を平滑化し、シリコン酸素窒化物のような第一の保護絶縁材(27)と、リンをドープしたシリカ層(28)とから成り応力の緩衝をもたらす第二の絶縁層を流動性絶縁材上に堆積することから成る、EPROMのような、集積回路上にUV透過性の表面保護被覆を形成する方法。
Claim (excerpt):
集積回路上に表面保護被覆を形成する方法において、 集積回路は平坦でない形状と、少なくとも一つの、導通パッドを有し、 集積回路を覆って第一の絶縁層を堆積させ、 第一の絶縁層を覆う流動性絶縁材の層を付加して、平坦でない形状を平滑化し、 流動性絶縁材層を覆う第二の絶縁層を堆積させ、 第二の絶縁皮膜を覆う保護パターン層を形成し、かつ少なくとも一つの導通パッド上の保護パターン層に開口部を設定し、 等方性である方法を使用して、開口部により露出された第二の絶縁層の部分を除去し、 異方性である方法を使用して、開口部を通して露出された、第二の絶縁層の残存部分と、流動性絶縁材層と、第一の絶縁層を含む、残りの層の部分を導通パッドに届くまで除去し、かつ 保護パターン層を除去する過程からなる方法。
IPC (8):
H01L 27/115 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6):
H01L 27/10 434 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/302 J

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