Pat
J-GLOBAL ID:200903008087833735
有機エレクトロルミネセンス素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001046247
Publication number (International publication number):2002246185
Application date: Feb. 22, 2001
Publication date: Aug. 30, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体基板上に形成する陽極(画素電極)から良好な効率で光を取出すとともに良好な電圧印加駆動のできる有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。【解決手段】 半導体基板21と、前記半導体基板21上に、トランジスタ22と、絶縁層23と、前記絶縁層23に形成されたコンタクトホール24を通して、前記トランジスタ22と接続する陽極25と、有機エレクトロルミネセンス膜26と、陰極27とが順次形成されており、前記有機エレクトロルミネセンス膜26からの発光光を前記陰極27側より取出す有機エレクトロルミネセンス素子20において、前記陽極25を、高い光反射率を有する第1の導電体層25aと、高い仕事関数値と高い光透過率を有する第2の導電体層25bとより構成した。
Claim (excerpt):
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタを蔽って形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成されたコンタクトホール及び前記絶縁層上に形成され、前記トランジスタと接続する陽極と、前記陽極上に形成された有機エレクトロルミネセンス膜と、前記エレクトロルミネセンス膜上に形成された陰極とを有し、前記有機エレクトロルミネセンス膜からの発光光を前記陰極側より取出す有機エレクトロルミネセンス素子において、前記陽極を、前記トランジスタと接続しており高い光反射率を有する第1の導電体層と、前記第1の導電体層上に形成してあり、前記有機エレクトロルミネセンス膜と接続し、高い仕事関数値と高い光透過率を有する第2の導電体層とより構成したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
IPC (8):
H05B 33/26
, G09F 9/30 330
, G09F 9/30 349
, G09F 9/30 365
, H05B 33/02
, H05B 33/14
, H05B 33/24
, H05B 33/28
FI (8):
H05B 33/26 Z
, G09F 9/30 330 Z
, G09F 9/30 349 D
, G09F 9/30 365 Z
, H05B 33/02
, H05B 33/14 A
, H05B 33/24
, H05B 33/28
F-Term (25):
3K007AB02
, 3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA03
, 3K007CB03
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 5C094AA10
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094EA06
, 5C094EB05
, 5C094ED11
, 5C094FA02
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5C094GB10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-245244
Applicant:三洋電機株式会社
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