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J-GLOBAL ID：200903008099347160
GaN単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994062815
Publication number (International publication number)：1995267796
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 結晶構造の欠陥や不純物が極めて少ない高品質な、しかもGaN単結晶だけを単独で基板として用いることが可能なほど十分な厚みを有するGaN単結晶をも製造しうるGaN単結晶の製造方法を提供することである。【構成】 基板1上に直接又はGaN単結晶との格子整合性の良好な物質からなるバッファ層2を介してGaN単結晶3を成長させる工程を有するGaN単結晶の製造方法であって、当該基板1が、サファイア結晶基板1aと、該サファイア結晶基板1a上に形成されるGax Al1-x Nからなるバッファ層1bと、該バッファ層1b上に形成されるGaN単結晶の表層1cとからなる、三層構造であることを特徴とする。特に、三層構造の基板1の形成において、バッファ層1bおよびGaN単結晶の表層1cを形成する方法がMOVPE法やMBE法であることが好ましい。
Claim (excerpt)：
基板上に直接又はGaN単結晶との格子整合性の良好な物質からなるバッファ層を介してGaN単結晶を成長させる工程を有するGaN単結晶の製造方法であって、当該基板が、サファイア結晶基板と、該サファイア結晶基板上に形成されるGax Al1-x N(ただし、式中の添字xは、0〜1の値をとる)からなるバッファ層と、該バッファ層上に形成されるGaN単結晶の表層とからなる、サファイア結晶基板・Gax Al1-x Nバッファ層・GaN単結晶の表層の、三層構造であることを特徴とするGaN単結晶の製造方法。
IPC (4)：
C30B 29/38
, C30B 23/08
, C30B 25/18
, H01L 21/205
