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J-GLOBAL ID：200903008123033635
化合物半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992032740
Publication number (International publication number)：1993198598
Application date： Jan. 22, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 電界効果型の化合物半導体装置において、寄生ソース抵抗が低く、かつ、特性,信頼性に優れたものを得る。【構成】 エピタキシャル層の最上層にノンアロイオーミックを形成しうる半導体層5を成長し、その上に化学的エッチングが容易なオーミック電極6,絶縁膜7を堆積した後、ゲート形成領域に化学的エッチングにより活性層領域が露出する開口11を形成し、この後開口側壁に絶縁膜サイドウォール8を形成し、さらにオーミック電極上の絶縁膜と上記サイドウォールで画定されるゲート電極9,10を形成する。【効果】 ゲート電極とオーミック電極を絶縁膜サイドウォール厚まで近接させることが可能で、ソース抵抗を低減でき、また、開口形成時に機能層にダメージを与えることがないため特性,信頼性に優れたものを実現できる。
Claim (excerpt)：
半絶縁性化合物半導体基板上に形成された最上層がノンアロイでオーミック接触を形成できる半導体層である化合物半導体エピタキシャル成長層と、上記ノンアロイでオーミック接触を形成できる半導体層上に形成された化学的エッチングが容易な材料からなるオーミック電極と、該オーミック電極上に形成された第1の絶縁膜と、少なくとも上記第1の絶縁膜,上記オーミック電極,及び上記ノンアロイでオーミック接触を形成できる半導体層を貫通して化学的エッチングにより設けられた溝部と、該溝部側壁に設けられた第2の絶縁膜からなるサイドウォールと、上記サイドウォール間の上記溝部底上,上記サイドウォール上,及び上記第1の絶縁膜上に形成され、上記溝部底の半導体層とショットキ接合するゲート電極とを備えたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/302
, H01L 29/50
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
Cited by examiner (6)
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