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J-GLOBAL ID：200903008127102445

残像積分固体撮像デバイス

Inventor： 黄 忠守
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992074287
Publication number (International publication number)：1993276442
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 画素構造が簡素な残像積分固体撮像デバイスを提供する。【構成】 選択線にカソードが接続する受光用のフォトダイオードと、ゲートが該フォトダイオードのアノードに、ドレインが該選択線に、ソースが出力線に夫々接続する増幅用の電界効果トランジスタとから成る画素と、リセット期間では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを順バイアスに設定する電圧、蓄積期間では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する電圧、サンプリング期間では該電界効果トランジスタをオンに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する電圧となる選択信号を上記選択線に供給する手段を具備した。

Claim (excerpt)：

選択線にカソードが接続する受光用のフォトダイオードと、ゲートが該フォトダイオードのアノードに、ドレインが該選択線に、ソースが出力線に夫々接続する増幅用の電界効果トランジスタとから成る画素と、リセット期間(τR )では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを順バイアスに設定する第1の電圧(VR )、蓄積期間(τI)では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する第2の電圧(VI )、サンプリング期間(τS )では該電界効果トランジスタをオンに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する第3の電圧(VS )となる選択信号を上記選択線に供給する手段を具備することを特徴とする残像積分固体撮像デバイス。

IPC (2)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/148