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J-GLOBAL ID：200903008138144107

積層体の製造方法

Inventor： 内山 昌一 ,  石上 喜浩 ,  菅 博文 ,  太田 正志
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237027
Publication number (International publication number)：1998083961
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 良好な特性を有するGaN層を備えた積層体の製造方法を提供する。【解決手段】 GaN層中においてp型ドーパントとして機能するMgを予めAlN層中に添加し、MgをAlN層からGaN層中に拡散させることにより、p型GaN層を形成した結果、良好な特性を有するGaN層を形成することができた。

Claim (excerpt)：

基板上にMgを含んだAlN層を形成する工程と、前記AlN層上に所定の温度でGaN系化合物半導体層を形成する工程と、を備える積層体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18