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J-GLOBAL ID：200903008140882611

スイッチング装置及びその使用

Inventor： フリーセン ロナルド ピエール ,  ホイベルツ ヨハネス ニコラース ,  レクトル イアン ヘンドリク
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996536323
Publication number (International publication number)：1998503858
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Apr. 07, 1998
Summary：

【要約】透明な基板(3)、500nmの厚みを有するイットリウムの反射性スイッチング膜(5)及び5nmの厚みを有するパラジウム層(7)を備えるスイッチング装置(1)を開示する。大気圧及び室温で水素ガスを用いることにより、透明なYH3の半導体膜(5)が形成され、該膜は熱に曝すことによりミラー様のYH2金属膜に転換する。YH3へのYH2の転換は可逆的であり、例えば、光スイッチング素子、薄いディスプレイに用いることができる。

Claim (excerpt)：

基板及び、水素を用いて水素化物を形成することができる3価の金属を含有するスイッチング薄膜を備え、該スイッチング膜は水素の交換により、金属状態から半導体状態に可逆的に変換することができることを特徴とするスイッチング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-112742
  
• 特開昭62-112742