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J-GLOBAL ID：200903008142844407

基板処理装置

Inventor： 長谷川 公二 ,  森田 明 ,  新居 健一郎
Applicant, Patent owner： 大日本スクリーン製造株式会社
Agent (1)： 杉谷 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004193141
Publication number (International publication number)：2006019350
Application date： Jun. 30, 2004
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：

【課題】 反応で生じる気泡を利用することにより、処理時間の短縮を図りつつも処理の面内均一性を高めることができる。【解決手段】 インラインヒータ19で処理液を90°Cに加熱して内槽3に供給し、その中に基板Wを浸漬する。すると、基板Wの回路等形成面側の反対側からは、処理液中に微小気泡が大量に発生し、起立姿勢の基板W面を上昇してゆく。したがって、激しい上昇液流が生じるので、基板Wの全面にわたり処理液が常に撹拌されることになり、基板Wが化学的に研磨されて均一性高く厚みが薄くされる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板に所定の処理を行う基板処理装置において、 基板を保持する保持機構と、 前記保持機構に保持された基板に水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムを含む処理液を供給する供給機構と、 処理液を60°C〜100°Cに加熱する加熱機構とを備え、 前記加熱機構により60°C〜100°Cに加熱された処理液により基板の処理を行うことを特徴とする基板処理装置。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (1)：

H01L21/306 J

F-Term (5)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043EE06 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• CMP研磨装置及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-170107   Applicant：日立化成工業株式会社