Pat

J-GLOBAL ID：200903008162409430

ZnO系材料とその製造方法

Inventor： 尾形 健一 ,  藤田 静雄 ,  藤田 茂夫
Applicant, Patent owner： 関西ティー・エル・オー株式会社
Agent (1)： 西教 圭一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265774
Publication number (International publication number)：2002068890
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 積層欠陥のない高品質な単結晶ZnOエピタキシャル薄膜を作成すること。【解決手段】 サファイア基板2上に有機金属気相成長法によって、約400〜500°Cで多結晶またはアモルファスのZnOから成る緩衝層である第1層3を形成し、この第1層3上に、約800°Cで単結晶ZnOから成る第2層4を形成し、フォトリソグラフィ技術によって部分的にSiO2から成るマスク5を形成し、その後、さらに、単結晶ZnOを、第2層4のマスク5からの露出部分7から選択的に成長させ、この露出部分7上の単結晶から、マスク5上で横方向に延びて成長した単結晶ZnOの第3層6を形成する。マスク5によって第2層4の積層欠陥11が遮断される。

Claim (excerpt)：

基板と、基板上に形成され、多結晶またはアモルファスのZnOから成る第1層と、第1層上に形成され、単結晶のZnOから成る第2層と、第2層上の一部分を被覆する電気絶縁性材料から成るマスクと、単結晶のZnOから成り、第2層のマスクから露出された露出部分で、厚み方向に成長するとともに、さらに、その露出部分上の単結晶から、マスク上で横方向に延びて成長した第3層とを含むことを特徴とするZnO系材料。

IPC (4)：

C30B 29/16 ,  C23C 16/40 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (4)：

C30B 29/16 ,  C23C 16/40 ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 A

F-Term (16)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DB06 ,  4G077EA02 ,  4G077HA05 ,  4G077HA11 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA47 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12