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J-GLOBAL ID：200903008164437538
ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992193846
Publication number (International publication number)：1994045256
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 微量の原料ガスであっても精度良くパルス状に供給することのできるガスパルスの供給方法および原子層レベルで精度良く膜厚制御を行うことのできる成膜方法を提供する。【構成】 開閉バルブ9a、13aを閉じた状態で、開閉バルブ7aを開け、ガス供給源6aから圧力制御用タンク8aに成膜原料ガスを導入し、開閉バルブ7aを閉じる。この時、圧力計12aによって圧力制御用タンク8a内のガス圧が所定圧になるよう制御する。所定圧を越えてしまった場合は、開閉バルブ13aを開けて排気を行い、圧力制御用タンク8a内のガス圧を所定圧に設定する。この後、開閉バルブ7a、9a、13aを閉じた状態から、所定時間開閉バルブ9aを開ける。すると、圧力制御用タンク8a内の成膜原料ガスが、ガス供給ノズル4aからパルス状に真空チャンバ1内の基板2に向けて供給される。
Claim (excerpt)：
ガス供給源からの原料ガスをパルス状にして所定量ずつ所定部に供給するガスパルスの供給方法において、前記ガス供給源からの前記原料ガスを圧力制御部に収容し、この圧力制御部と前記所定部とを連通する配管に設けたバルブを開閉して該圧力制御部内の圧力降下分に相当する量の前記原料ガスを、前記所定部に供給することを特徴とするガスパルスの供給方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, G05D 7/06
