Pat
J-GLOBAL ID:200903008168062334

酸化物超電導膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992203860
Publication number (International publication number):1994052742
Application date: Jul. 30, 1992
Publication date: Feb. 25, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 優れた特性の酸化物超電導膜を得ることができる、レーザアブレーション法を用いる酸化物超電導膜の製造方法を提供する。【構成】 YSZ(イットリア安定化ジルコニア)またはMgO(酸化マグネシウム)をターゲット4として用い、レーザ発振装置1から発振されるレーザ光によってアブレーションが生じ、粒子5が、10mTorr以下の酸素雰囲気下で基板6上に中間層を形成するステップと、中間層上に酸化物超電導膜を形成するステップとを備える。
Claim (excerpt):
レーザアブレーション法を用いる酸化物超電導膜製造方法であって、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)またはMgO(酸化マグネシウム)をターゲットとして用い、10mTorr以下の酸素雰囲気下で基板上に中間層を形成するステップと、前記中間層上に酸化物超電導膜を形成するステップとを備える、酸化物超電導膜製造方法。
IPC (6):
H01B 13/00 565 ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/08 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA

Return to Previous Page