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J-GLOBAL ID：200903008178897620

電界効果トランジスタ

Inventor： 岡本 康宏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993320648
Publication number (International publication number)：1995176761
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高周波での動作時にドレイン電流の減少が無く、高い飽和出力が得られる高出力増幅器用の電界効果トランジスタを提供する。【構成】 ソース電極3とゲート電極5およびゲート電極5とドレイン電極4の間にショットキ性の第2ゲート電極6があり、この第2ゲート電極6を正電圧にバイアスする事により、表面空乏層8を打ち消し、ゲート下の空乏層7によってのみドレイン電流の変調が行われるようにする。この結果高周波で動作した際の、表面空乏層の応答の遅れによるドレイン電流の減少をなくすことができ、高い飽和出力を得ることができる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に、不純物ドーピングした活性層があり、その活性層の上にソース電極、ドレイン電極、ゲート電極の3電極がある電界効果トランジスタにおいて、ソース電極-ゲート電極およびゲート電極-ドレイン電極の各電極間にショットキ性の第2のゲート電極を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 W ,  H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-009172
  
• 特開平4-162433
  
• 特開平2-002179