Pat

J-GLOBAL ID：200903008189226965

対数変換型画素構造およびそれを用いた固体撮像装置

Inventor： 渡辺 恭志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000169649
Publication number (International publication number)：2001352489
Application date： Jun. 06, 2000
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 対数変換型画素構造において、フォトダイオードの暗電流を大幅に低下させて対数変換可能な光電流の下限を拡大し、感度の向上とダイナミックレンジの拡大を図る。【解決手段】 光電変換するフォトダイオード1と、フォトダイオード1の光電流を対数変換する第一MOSトランジスタ2と、フォトダイオード1の光電流を第一MOSトランジスタ2で変換した信号を読み出す第二MOSトランジスタ3とを備えた対数変換型画素構造において、第一MOSトランジスタ2のゲートを、電源電位と接地電位GNDとの間の電位に固定する。

Claim (excerpt)：

フォトダイオードからなる光電変換部と、該フォトダイオードにソースが接続され、電源にドレインが接続された第一MOSトランジスタからなり、該フォトダイオードの光電流を対数変換するための対数変換部と、該フォトダイオードおよび該第一MOSトランジスタのソースにゲートが接続されていると共に、該第一MOSトランジスタのドレインにドレインが接続された第二MOSトランジスタを含み、該フォトダイオードの光電流を該第一MOSトランジスタで変換した信号を読み出す読み出し手段とを備えた対数変換型画素構造において、該第一MOSトランジスタのゲートが、電源電位と接地電位との間の電位に固定されている対数変換型画素構造。

IPC (3)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (5)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G

F-Term (18)：

4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024GY41 ,  5F049MA01 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049UA05 ,  5F049UA20