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J-GLOBAL ID：200903008193618711
オゾン水製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森 浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092103
Publication number (International publication number)：1994277476
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 オゾン含有ガスを被処理水に溶解してオゾン水を製造する際に従来法ではオゾンの吸収率が低く効率良く高濃度オゾン水を製造できなかった。本発明は簡便に高濃度オゾン水を製造できる方法を提供することを目的とする。【構成】 コイル5、6や永久磁石により被処理水4に100 〜5000ガウスの磁場を印加しながらオゾン含有ガスと接触させオゾン溶解を行い、あるいは前もって磁場を通過させた被処理水をオゾン含有ガスと接触させてオゾン溶解を行う。磁場印加により被処理水の分子構造が変化してオゾンの吸収率が向上し高濃度オゾン水を容易に製造することができる。少量のオゾン含有ガスで従来と同等以上のオゾンを溶解したオゾン水が製造できるためオゾナイザー及びオゾン溶解槽の小型化することができる。
Claim (excerpt)：
オゾン含有ガスを被処理水に接触させオゾンを該被処理水中に溶解しオゾン水を製造する方法において、前記被処理水に100 〜5000ガウスの磁場を印加しながらオゾン溶解を行うことを特徴とするオゾン水製造方法。
IPC (2)：
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