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J-GLOBAL ID：200903008194708684

磁気的に安定な磁気抵抗メモリ素子

Inventor： トーマス・シー・アンソニー
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001157177
Publication number (International publication number)：2002056665
Application date： May. 25, 2001
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気メモリセルのセルの状態を磁気的に安定にする手段を提供する。【解決手段】磁気抵抗メモリセル(100)は、第1(110)及び第2(130)の導電性磁気層を備える。第1及び第2の層の一方は実質的に「H」または「I」の形状をなしている。第1の層と第2の層の間に分離層(120)が配置される。種々の実施態様において、分離層は、導電性かまたは非導電性である。種々の実施態様において、第1の層及び第2の層の少なくとも一方が、ニッケル-鉄(NiFe)、コハ ゙ルト-鉄(CoFe)、またはニッケル-鉄-コハ ゙ルト(NiFeCo)合金のうちの1つからなる。1実施態様では、メモリセル装置は、導電性の磁気基準層及びデータ層を有する。データ層(400)の形状は実質的に「H」または「I」形状である。基準層とデータ層の間に分離層が配置される。セルは、トンネル磁気抵抗セルまたは巨大磁気抵抗セルとすることができる。

Claim (excerpt)：

第1および第2の磁性体層であって、それらの少なくとも一方が実質的に「H」形状である、第1および第2の磁性体層と、前記第1の磁性体層と前記第2の磁性体層との間に配置された分離層の対からなる、メモリセル装置。

IPC (6)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (6)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (10)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11