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J-GLOBAL ID：200903008195586264

半導体装置の特性検査装置

Inventor： 石川 修 ,  太田 順道 ,  前田 昌宏 ,  東 千夏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991199371
Publication number (International publication number)：1993040148
Application date： Aug. 08, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 検査精度を大幅に改善した電力増幅用半導体の高周波の特性検査装置を提供する。【構成】 放熱ブロック1上に放熱板11に半田付けされた状態のモジュールプリント基板5及び評価用プリント基板2を配置する。モジュールのリード端子9は、評価用プリント基板2のマイクロストリップ線路4等の配線上に乗った状態で半田付けし電気的に接続する。また、放熱板11の足の部分は放熱ブロック1に固定する。評価用プリント基板2からは、入力及び出力のコネクター3を取り付けると共に、バイアス供給端子10を引き出し、モジュールに直流バイアスを供給する。モジュールプリント基板5の開口部6に、検査するべきトランジスタ7を挿入し、リード押さえ12を用いて上部より圧力を加えることにより銅箔8とトランジスタリードが電気的に接続する。

Claim (excerpt)：

放熱板に半田等を用いて固着されたプリント基板上にチップ部品及び電力増幅用半導体を実装した構成の高周波多段電力増幅回路からなる電力用モジュールにおいて、電力用モジュールへの実装前の電力増幅用半導体の特性検査に、電力増幅用半導体が実装されていない電力用モジュールを用い、電力増幅用半導体のリード端子と電力用モジュールのプリント基板の所定の接続領域とを、半田等を用いずに圧着して電気的に接続し高周波特性及び電力特性を評価することを特徴とする高周波電力増幅用半導体装置の特性検査装置。