Pat
J-GLOBAL ID：200903008208678708

III族窒化物系化合物半導体の製造方法及び製造装置

Inventor：
渡辺 大志

About 渡辺 大志

, 
小池 正好

About 小池 正好


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001191554
Publication number (International publication number)：2003007619
Application date： Jun. 25, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】基板との熱膨張係数の差による熱応力を回避した半導体の製造方法。【解決手段】アンモニア(NH3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板10の面10aに窒化ガリウム(GaN)30がエピタキシャル成長を開始する(b)。次に、均熱板20の孔部21を通して塩化水素(HCl)がSi基板10の面10bに供給されと、クロロシラン類(HxSiCl4-x、HxSi2Cl6-x、その他)及び水素H2となって、均熱板20の4つの脚部22の間からエッチング系統102内部に排出される。こうして、Si基板10のエッチング系統102に面した側がエッチングされ、中央部付近10cからSi基板10は薄くなっていく(c)。こうして、所望時間エピタキシャル成長とエッチングを継続すると、Si基板10は均熱板20の4つの脚部22に接している部分付近の他はほとんどエッチングにより薄くなるか、完全に除去されて窒化ガリウム(GaN)30の裏面が析出することとなる(d)。
Claim (excerpt)：
III族窒化物系化合物半導体の製造方法において、エッチング可能なIII族窒化物系化合物半導体と異なる基板(異種基板)を用い、1又は複数のIII族窒化物系化合物半導体を前記異種基板の一方の面に積層する最中、若しくは積層した後に、前記異種基板の他方の面をエッチングして、前記異種基板の大部分の厚さを薄くしたことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (17)：
5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA02 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB24 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB13 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM