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J-GLOBAL ID：200903008238088387

強誘電体FET素子およびその製造方法

Inventor： 渡部 行男 ,  棚村 満
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994325870
Publication number (International publication number)：1996181232
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 繰り返し記憶特性、記憶保持特性をはじめ高速性、集積性、低消費電力等の特性に優れたメモリ素子として有用な強誘電体FET素子およびその製造方法を提供すること。【構成】 無機基板上に少なくとも半導体層と強誘電体層の2層を有し、強誘電体層上にゲート電極を有する強誘電体FET素子において、半導体層上のソース電極およびドレイン電極が形成された部分以外を強誘電体で覆ったことを特徴とする強誘電体FET素子および、無機基板上に少なくとも半導体層と強誘電体層を設け、エッチングにより素子間分離を行い、その後ソース電極部およびドレイン電極部のみの強誘電体層をエッチング除去し、ゲート電極部、ゲート電極部とソース電極部の間およびゲート電極部とドレイン電極部の間の強誘電体層は残したままその後のFET素子形成を行なうことを特徴とする強誘電体FET素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

無機基板上に少なくとも半導体層と強誘電体層の2層を有し、強誘電体層上にゲート電極を有する強誘電体FET素子において、半導体層上のソース電極およびドレイン電極が形成された部分以外を強誘電体で覆ったことを特徴とする強誘電体FET素子。

IPC (6)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 617 T