Pat

J-GLOBAL ID：200903008240744054

金属配線の構造およびその形成方法

Inventor： 渡▲邊▼ 厚司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253477
Publication number (International publication number)：1993094992
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高耐熱性、高密着性、高信頼性を有する金属配線を得る。【構成】 導電率が高く融点の低いAu層2などの配線のまわりにAu層2よりも融点が高く熱膨張率の低いタングステンシリサイド層3,4を形成する。【効果】 絶縁膜6とAu層2の高温での反応を抑えて耐熱性を高め、また、タングステンシリサイド層3,4が緩衝層となって、Au層2と絶縁膜6との密着性を高め、信頼性を高める。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成する金属配線の構造であって、導電率が高い第1の金属配線の周りを前記第1の金属配線よりも融点が高くかつ熱膨張率が低い第2の金属配線で覆ったことを特徴とする金属配線の構造。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 D