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J-GLOBAL ID：200903008260351180

CVD用原料およびこれを用いた成膜法

Inventor： 田▲崎▼ 雄三 ,  佐藤 守 ,  吉澤 秀二
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 和田 憲治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998067658
Publication number (International publication number)：1998324970
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高融点であるが故に固体状態からの気化が余儀なくされたCVD用原料化合物を液体状態から気化できるようにする。【解決手段】 CVD法で成膜するさいの原料であって,該成膜を構成する金属元素を含む金属有機化合物(主化合物と言う)に他の有機系化合物を配合してなり,前記他の有機系化合物が,原料気化温度で主化合物より低い蒸気圧を有するものであり且つ主化合物に配合したときに主化合物の融点よりも低い融点をもつ融体配合物を形成するものであるCVD用原料。特に主化合物が一般式Ma(DPM)2である場合(Maはアルカリ土類金属), これにMa(TMOD)2またはMa(TMND)2を配合する。

Claim (excerpt)：

CVD法で成膜するさいの原料であって,該成膜を構成する金属元素を含む金属有機化合物(主化合物と言う)に他の有機系化合物を配合してなり,前記他の有機系化合物が,原料気化温度で主化合物より低い蒸気圧を有するものであり且つ主化合物に配合したときに主化合物の融点よりも低い融点をもつ融体配合物を形成するものであるCVD用原料。

IPC (3)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/44 ,  C07F 3/00

FI (4)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/44 C ,  C07F 3/00 F ,  C07F 3/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-104079
  
• 特表平7-500316
  
• 特開平4-074866