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J-GLOBAL ID：200903008262665190

固体試料のアニール方法および半導体不純物ドーピング層形成方法

Inventor： 節原 裕一 ,  水野 文二 ,  高瀬 道彦 ,  足立 智
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000156330
Publication number (International publication number)：2001338894
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来のアニール技術は、不純物ドープ層の活性化には有効であるが、基板全体が1000度C程度の高温に加熱され、10秒程度の短時間の加熱であっても、注入された不純物が基板深部へも拡散してしまうという問題があった。【解決手段】 固体試料に、電磁波を照射して格子振動(フォノン)を直接励起することにより、熱的に非平衡な状態で原子、分子及び格子欠陥の振動、再配列及び拡散を行う。

Claim (excerpt)：

固体試料に、電磁波を照射して格子振動(フォノン)を直接励起することにより、熱的に非平衡な状態で原子、分子及び格子欠陥の振動、再配列及び拡散を行うことを特徴とする固体試料のアニール方法。

IPC (3)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/265 602

FI (3)：

H01L 21/268 Z ,  H01L 21/22 E ,  H01L 21/265 602 Z