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J-GLOBAL ID：200903008280044560

半導体装置の製造方法

Inventor： 三ケ木 郁
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993075923
Publication number (International publication number)：1994291191
Application date： Apr. 01, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】高アスペクト比を有する微細化な接続孔を介して下層の配線層と接続する上層の金属配線の形成において、製造コストを上昇させずに電気特性が均一な,かつ高信頼性の金属配線の形成方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜103に接続孔104を形成し、全面にバリアメタルとなるチタン・タングステン合金膜105,メッキ電流供給電極となる金膜106を形成し、メッキマスク膜となるシリコン酸化膜107を形成する。電解金メッキ法により金膜108aを形成し、レーザ照射法により金膜108aaとした後、再び電解金メッキ法により金膜108bを形成する。シリコン酸化膜107とこの膜の直下の金膜106,チタン・タングステン合金膜105とが除去され、積層膜からなる金属配線が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に拡散層を形成し、前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、前記拡散層に達する接続孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、全面に第1の導電膜を形成し、全面に第2の導電膜を形成する工程と、前記第2の導電膜上に、選択的にメッキマスク膜を形成する工程と、前記メッキマスク膜をマスクにしてメッキを行ない、露出した前記第2の導電膜上に、第1の低抵抗金属膜を選択的に形成する工程と、レーザ光の照射により、前記第1の低抵抗金属膜を溶融流動化させて、前記接続孔に前記第1の低抵抗金属膜を充填させる工程と、前記メッキマスク膜を再度マスクにしてメッキを行ない、前記第1の低抵抗金属膜表面に選択的に第2の低抵抗金属膜を形成する工程と、前記メッキマスク膜を除去し、前記第2,および第1の低抵抗金属膜をマスクにして、前記第2,および第1の導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/90 ,  C25D 3/48 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288