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J-GLOBAL ID：200903008282916017

多孔質シリカフィルムの製造方法、該方法により得られた多孔質シリカフィルム、並びにそれからなる半導体装置

Inventor： 高 村 一 夫 ,  大 池 俊 輔 ,  村 上 雅 美 ,  窪 田 武 司
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Agent (2)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002380845
Publication number (International publication number)：2004210579
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【解決手段】本発明に係る多孔質シリカフィルムの製造方法は、界面活性剤と環状シロキサンとの存在下に、アルコキシシラン類を加水分解縮合して塗布液を調製し、該塗布液を基板表面に塗布し、次いで、基板表面に形成された塗布膜を加熱することを特徴とする。【効果】本発明の多孔質シリカフィルムの製造方法によれば、空隙率が増加するため誘電率が小さく、さらに疎水性に優れる多孔質シリカフィルムを得ることができる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

界面活性剤と環状シロキサン類との存在下に、アルコキシシラン類を加水分解縮合して塗布液を調製し、 該塗布液を基板表面に塗布し、次いで、基板表面に形成された塗布膜を加熱することを特徴とする多孔質シリカフィルムの製造方法。

IPC (3)：

C01B33/12 ,  C08J9/28 ,  H01L21/316

FI (3)：

C01B33/12 C ,  C08J9/28 ,  H01L21/316 G

F-Term (34)：

4F074AA90 ,  4F074AA94 ,  4F074BC01 ,  4F074BC02 ,  4F074BC03 ,  4F074BC04 ,  4F074CB31 ,  4F074CC04 ,  4F074CC28 ,  4F074CC29 ,  4F074CC42 ,  4F074CE12 ,  4F074CE13 ,  4F074CE15 ,  4F074CE37 ,  4F074CE66 ,  4F074CE83 ,  4F074CE93 ,  4F074DA47 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072KK15 ,  4G072KK17 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01