Pat
J-GLOBAL ID：200903008284433137
平面型電界放出デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992002435
Publication number (International publication number)：1993190078
Application date： Jan. 09, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 制御性の向上と製作の容易化をはかった平面型電界放出デバイスを提供する。【構成】 基板の同一平面上に所定の間隔を隔ててエミッタとコレクタが形成され,前記エミッタとコレクタの間にゲートを形成した平面型電界放出デバイスにおいて,前記基板としてSOI基板を用い,エミッタ4およびコレクタ3をシリコン単結晶で形成するとともに前記エミッタの先端を厚み方向に先鋭化する。
Claim (excerpt)：
基板の同一平面上に所定の間隔を隔ててエミッタとコレクタが形成され,前記エミッタとコレクタの間にゲートを形成した平面型電界放出デバイスにおいて,前記基板としてSOI基板を用い,前記エミッタおよびコレクタをシリコン単結晶で形成するとともに前記エミッタの先端を厚み方向に先鋭化したことを特徴とする平面型電界放出デバイス。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
