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J-GLOBAL ID：200903008287555861

炭化ケイ素単結晶成長方法

Inventor： 藤川 好晴 ,  太田 潔 ,  古賀 和幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267687
Publication number (International publication number)：1993105596
Application date： Oct. 16, 1991
Publication date： Apr. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ルツボの上側に種結晶を設置し、ルツボ内に準備した粉末又は顆粒等のSiCを昇華させることにより、SiC種結晶を成長させて、SiC単結晶のインゴットを得るSiC単結晶成長方法において、SiCを安定に昇華させることを目的とする。【構成】 グラファイトからなるルツボ1内にSiC単結晶用原材料2を準備する。この原材料2はSiCとカーボンからなり、例えば原材料2の表面部にカーボンを含有する層2aとこの層2a下に粉末又は顆粒等のSiC2bとで構成されている。ルツボ1の開口部5にSiCの種結晶4を固定設置したホルダー3を載置して、アルゴンガス雰囲気とする。その後、ルツボ1周囲に設けられた高周波誘導加熱コイルにより、ルツボ1を加熱することにより、SiC2bを昇華させて、SiC種結晶4を成長させてSiC単結晶のインゴットを作成する。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素からなる原材料を加熱昇華させ、該原材料の上側上方に配設した種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法において、炭化ケイ素からなる原材料にカーボンを含有せしめることを特徴とする炭化ケイ素単結晶成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203