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J-GLOBAL ID：200903008295116346

スピンフィルタ

Inventor： 大野 英男 ,  大谷 啓太
Applicant, Patent owner： 東北大学長
Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001346909
Publication number (International publication number)：2003152173
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】 量子通信や量子演算などの技術において、キャリアスピンの方向を簡易に判別する素子を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、第1の磁性半導体多重量子井戸構造2、非磁性半導体量子井戸構造3、及び第2の磁性半導体多重量子井戸構造4を順次形成する。第1の磁性半導体多重量子井戸構造2は、ダウンスピン状態のキャリアのみを透過しフィルタリングする。第2の磁性半導体多重量子井戸構造4は、アップスピン状態のキャリアのみを透過しフィルタリングする。そして、非磁性半導体量子井戸構造3にサブバンド間エネルギーに相当するサブバンド光を照射し、第2のサブバンド準位に励起した際に流れる電荷量から、フィルタリングされたキャリア量を定量する。

Claim (excerpt)：

第1の磁性半導体多重量子井戸構造と、第2の磁性半導体多重量子井戸構造と、非磁性半導体量子井戸構造とを具え、この非磁性半導体量子井戸構造は、前記第1の磁性半導体多重量子井戸構造及び前記第2の磁性半導体多重量子井戸構造と隣接するようにして挟まれ、前記第1の磁性半導体多重量子井戸構造及び前記第2の磁性半導体多重量子井戸構造に所定の磁場を印加することによってスピン分裂させ、前記第1の磁性半導体多重量子井戸構造において、ダウンスピンの状態にあるキャリアのみを透過させ、前記第2の磁性半導体多重量子井戸において、アップスピンの状態にあるキャリアのみを透過させるようにしたことを特徴とする、スピンフィルタ。

IPC (3)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/221

FI (3)：

H01L 29/66 M ,  H01L 29/06 601 W ,  H01L 29/221