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J-GLOBAL ID：200903008296286504

半導体装置の表面保護膜の形成方法

Inventor： 本間 哲哉
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991250781
Publication number (International publication number)：1993090249
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【構成】アルミニウム配線108上に250°Cの温度で酸化シリコン膜109を形成した後、SOG膜形成のためのアルコール溶液を塗布し、200°C以下で短時間の熱処理を施す。次に、アルコキシフルオロシランの蒸気に曝露せしめ、続いて250°C以下の温度で熱処理を行いフッ素含有酸化シリコン膜112を形成し表面を平坦化する。続いて250°C以下の温度で窒化シリコン膜を形成する。この後、フォトエッチング技術を用いてアルミニウムパッド上に開孔を形成する。以上の工程で表面保護膜を形成する。【効果】250°C以下の低温で平坦性の高い表面保護膜が形成でき、表面保護膜に亀裂が発生せず、かつ、封止樹脂の熱応力に対する耐性が向上する。また、アルミニウム電極配線にヒロックが発生しない。したがって、高信頼性の半導体装置の製造に多大な効果がある。

Claim (excerpt)：

最上層配線層が形成された半導体チップ上に、第1の酸化シリコン膜を高高250°Cの温度で形成する工程と、化学式Si(OH)4 ,Si(OR)4 ,又はRn -Si(OR)4-n (R:アルキル基,n:1〜3の整数)のうち少くとも1つから形成したアルコール溶液、すなわちSOG用塗布液を塗布したのち高高200°Cの温度の熱処理により乾燥し、アルコキシフルオロシラン(化学式Fm -Si(OR)4-m ,R:アルキル基,m:1〜3の整数)を主成分とする蒸気にさらしたのち、高高250°Cの温度で熱処理して酸化シリコン系のガラス膜を形成する工程と、続いて、プラズマ化学気相成長法により、高高250°Cの温度で絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の表面保護膜の形成方法。