Pat

J-GLOBAL ID：200903008304429280

線状ナノ材料の製造方法及びこれによる線状ナノ材料、線状ナノ材料を利用した薄膜トランジスタ基板

Inventor： ▲オー▼ 俊 鶴
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  堀川 かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006200304
Publication number (International publication number)：2007039683
Application date： Jul. 24, 2006
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：

【課題】壁厚さの調節と多層形成が容易な線状ナノ材料の製造方法、これによる線状ナノ材料、その線状ナノ材料を利用した薄膜トランジスタ基板を提供する。【解決手段】本発明による線状ナノ材料の製造方法は、直径200nm以下の孔隙が形成されている鋳型を設ける工程と;気相の有機物質を導入して、前記孔隙内に線状ナノ材料を形成する工程と;を含むことを特徴とする。また、本発明の線状ナノ材料は、直径が200nm以下であり、内部が空いているチューブ形状のシェルと、前記シェルの内部に形成されているコアとを含むことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

直径200nm以下の孔隙が形成されている鋳型を設ける工程と、 気相の有機物質を導入して、前記孔隙内に線状ナノ材料を形成する工程と、 を含むことを特徴とする線状ナノ材料の製造方法。

IPC (8)：

C08G 85/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/312 ,  H01L 29/06 ,  B82B 3/00

FI (10)：

C08G85/00 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/363 ,  H01L21/312 A ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/312 M ,  B82B3/00

F-Term (43)：

4J031BA04 ,  4J031BA09 ,  4J031BA10 ,  4J031BA11 ,  4J031BA15 ,  4J031CA11 ,  4J031CA21 ,  4J031CA24 ,  4J031CA34 ,  4J031CA49 ,  4J031CB01 ,  4J031CB02 ,  4J031CB05 ,  5F058AA10 ,  5F058AB05 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF01 ,  5F058AH01 ,  5F103AA01 ,  5F103DD25 ,  5F103LL13 ,  5F103PP18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF12 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 韓国特許公開2004-104227号公報