半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156885
Publication number (International publication number)：1996023081
Application date： Jul. 08, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】書き込み消去電圧が低く、且つ直接メモリセルにつながるコンタクトレスアレイを実現できると共に、誤書き込みのマージンを広げた半導体装置を提供する。【構成】シリコン基板11にフローティングゲートとしてのポリシリコン膜22と、コントロールゲートとしてのポリシリコン膜24をパターニングし、MOSトランジスタのソース17の不純物濃度をドレイン16の不純物濃度より十分薄く設定する。これにより、誤書き込みを防止し、書き込み消去に要する電圧を低くすることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に、ビットラインとソースラインとが拡散層で互いに平行をなすように形成され、且つワードラインがそれらと直交する配線層で形成されると共に、MOSトランジスタとなる部分にフローティングゲートが存在する半導体装置において、前記MOSトランジスタのソースとドレインとの不純物濃度が異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

不揮発性メモリの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314802 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-128477
特開平2-128477

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