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J-GLOBAL ID：200903008310418150

セラミツクス回路基板

Inventor： 小森田 裕 ,  佐藤 英樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991247591
Publication number (International publication number)：1993090444
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、構造が簡素・小型で製造が容易であり、電子機器に高密度に実装することが可能であり、かつクラック等の欠陥の発生が少なく、長期間に亘り優れた耐久性および信頼性を発揮するセラミックス回路基板を提供することにある。【構成】本発明に係るセラミックス回路基板は、絶縁材となるセラミックス基板10の少なくとも一方の表面に導体層としての銅板11a,11bを接触配置し加熱することによって発生する銅と酸素との共晶化合物を接合剤として接合して形成したメタライズ基板3cの導体層11aに半導体素子8を一体に接合する一方、上記半導体素子8を接合した側とは反対側のメタライズ基板3c表面を熱伝導性接着剤12を介して放熱板2に一体に接合したことを特徴とする。また、セラミックス基板は、Al2 O3 ,ZrO2 ,BeO,SiO2 ,TiO2 ,MgO,CeOなどの酸化物セラミックスで構成するとよい。

Claim (excerpt)：

絶縁材となるセラミックス基板の少なくとも一方の表面に導体層としての銅板を接触配置し加熱することによって発生する銅と酸素との共晶化合物を接合剤として接合して形成したメタライズ基板の導体層に半導体素子を一体に接合する一方、上記半導体素子を接合した側とは反対側のメタライズ基板表面を熱伝導性接着剤により放熱板に一体に接合したことを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (2)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 J