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J-GLOBAL ID：200903008341147375
半導体ウエハー用サセプター
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993055843
Publication number (International publication number)：1994268053
Application date： Mar. 16, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウエハー用のサセプターにおいて、半導体ウエハー上で熱量の出入りがあり、温度が変動するときに、半導体ウエハーの温度を制御できるようにすることである。【構成】 サセプター1の基材2は緻密質セラミックスからなる。基材2の内部に熱電変換素子が埋設されている。好ましくは、この熱電変換素子が、P型半導体素子3とN型半導体素子4とからなる。熱電変換素子に電流を流し、吸熱又は発熱させることで、設置面2a上の半導体ウエハーの温度を調整する。
Claim (excerpt)：
緻密質セラミックスからなる基材内に熱電変換素子が埋設されている、半導体ウエハー用サセプター。
IPC (5)：
H01L 21/68
, H01L 21/22
, H01L 21/324
, H05B 3/14
, H05B 3/18
Cited by examiner (6)
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