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J-GLOBAL ID：200903008341951158
配線基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992115056
Publication number (International publication number)：1993315745
Application date： May. 08, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 多層配線の層間配線のために樹脂層に開口されたスルーホールの充填方法に関し,平坦でかつ密着性に優れた充填方法の提供を目的とする。【構成】 基板1上に配線2を形成する工程と,配線2を覆い絶縁性の樹脂層3を堆積する工程と,樹脂層3を貫通して底面に配線2を表出するスルホール5を開設する工程と,スルーホール5を埋め込み導電性の充填材7を堆積する工程とを有する配線基板の製造方法において,充填材7を堆積する工程に先立ち,スルーホール5の内表面及び樹脂層7の表面を覆う金属層4bを堆積する工程と,スルーホール5の底面に金属層4bを表出する開口5aを有し,開口5a領域以外の金属層4b表面を覆う絶縁層4cを形成する工程と,金属層4bを電極とする導電体のメッキにより,スルーホール5の底面に表出する金属層4b上にスルーホール5を埋め込み充填材7を堆積する工程とを有して構成する。
Claim (excerpt)：
基板(1)上に配線(2)を形成する工程と,該配線(2)を覆い該基板(1)上に絶縁性の樹脂層(3)を堆積する工程と,該樹脂層(3)を貫通して底面に該配線(2)を表出するスルホール(5)を開設する工程と,該スルーホール(5)を埋め込み該配線(2)と電気的に接続する導電性の充填材(7)を堆積する工程とを有する配線基板の製造方法において,該充填材(7)を堆積する工程に先立ち,該スルーホール(5)の内表面及び該樹脂層(7)の表面を覆う金属層(4b)を堆積する工程と,該スルーホール(5)の底面に該金属層(4b)を表出する開口(5a)を有し,該開口(5a)領域以外の該金属層(4b)表面を覆う絶縁層(4c)を形成する工程と,次いで,該金属層(4b)を一方の電極とする導電体のメッキにより,該スルーホール(5)の底面に表出する該金属層(4b)上に該スルーホール(5)を埋め込み充填材(7)を堆積する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2)：
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