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J-GLOBAL ID：200903008347326980
バイポーラトランジスタの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994321486
Publication number (International publication number)：1996162474
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：
【要約】【目的】 エミッタ面積を縮小できるSICOS構造のバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。【構成】 エピタキシャル層を凸形状とし、この凸形状側壁部に外部ベース領域を形成し、凸形状頂面に真性ベース領域とエミッタ領域とを形成する際、頂面の面積を縮小するため、スペーサーとなるサイドウォールを形成した後、エミッタ領域を形成するための拡散を行う。
Claim (excerpt)：
一導電型の半導体基板上に、コレクタ領域の一部を構成する逆導電型の埋込層を形成し、該埋込層上に逆導電型のエピタキシャル層を成長させ、素子分離を行い、逆導電型のコレクタ領域、一導電型のベース領域及び逆導電型のエミッタ領域を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、前記エピタキシャル層表面に第1の絶縁膜を形成する工程と、該第1の絶縁膜をエミッタ、ベース形成予定領域を除き除去する工程と、該第1の絶縁膜をマスクに前記エピタキシャル層をエッチングし、凸形状を形成する工程と、全面に第2の絶縁膜を形成し、該第2の絶縁膜で前記凸形状側壁部にサイドウォールを形成する工程と、該サイドウォールをマスクに前記エピタキシャル層表面に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の一部を除去し、前記凸形状の側壁部のみ前記エピタキシャル層を露出させる工程と、該露出したエピタキシャル層に接触するベース電極金属を全面に形成する工程と、該ベース電極金属上に平坦化膜を形成し、平坦化し、エッチバックして前記第1の絶縁膜を露出させる工程と、前記ベース電極表面に第4の絶縁膜を形成する工程と、前記凸形状側壁部に外部ベース領域を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を除去し、全面に第5の絶縁膜を形成し、該第5の絶縁膜で前記凸形状頂面の前記ベース電極及び前記第4の絶縁膜端部にサイドウォールを形成する工程と、前記凸形状頂面のエピタキシャル層表面に、前記外部ベース領域と接触するベース領域を形成する工程と、該ベース領域上にエミッタ領域を形成する工程と、前記埋込層に接続するコレクタ領域を形成する工程とを含むことを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/74
, H01L 21/761
H01L 29/72
, H01L 21/76 J
Cited by examiner (10)
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